Nexperia发布汽车级650V氮化镓(GaN)功率器件

Nexperia 发布以高压 GaN HEMT H2 为核心技术的氮化镓场效应晶体管器件，目标市场是汽车、5G 和数据中心应用。这些器件采用标准的 TO-247 封装和 Nexperia 公司特定的 CCPAK 表贴式封装。Nexperia 表示，由于采用了 cascode 配置，可以使用标准硅 MOSFET 驱动，并减少了对复杂控制的需要，该器件简化了应用程序的设计。

值得说明的是，Nexperia 的 CCPAK 表贴式封装采用 copper-clip 封装技术，取代了常规的 bond wires，这减少了寄生损耗，优化了电气和热性能，并提高了可靠性。CCPAK GaN FETs 可采用顶部或底部散热。

此外，该器件具备优越的开关特性和导通特性，具有更好的稳定性。

新一代 GaN 器件采用 epi 通孔技术，减少了 24%的 shrink die 尺寸，导通电阻也减少到了 41 mΩ(25℃下最大为 35 mΩ)，并采用 TO-247 封装，具有高阈值电压和低二极管正向电压。另外，CCPAK 表贴式器件的导通电子则进一步减小到 39 mΩ(25℃下最大为 33 mΩ)。这两个类型的氮化镓功率器件均满足 AEC-Q101 汽车应用。

Nexperia 的新一代氮化镓功率器件适应于 650V 高功率开关和 30 – 40-mΩ导通电阻的应用场景，如车载充电器、DC / DC 转换器，车载逆变器，以及工业电源、5G 和数据中心等。

目前，650-V GAN041-650WSB (TO-247 包装)和 GAN039-650NBB (CCPAK)已经处于样件阶段。

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