开关电源电路中阻尼电路的作用

在反激式开关电源（flyback）电路中，常会用到 RCD 阻尼电路，该电路具体有哪些作用呢？

如上图所示，红框中的 RCD 即是阻尼电路，这种结构叫做 charge discharge RCD snubber circuit，通过对 C25 的充放电来抑制尖峰电压。

在 MOSFET 开通时，C25 的电荷完全释放掉，在 MOSFET 关断的瞬间，电流回路为 C25->D4，给电容充电以抑制 MOSFET 上的电压尖峰，下一个 MOSFET 开通周期，通过电阻->电容->MOS 回路再次给 C25 完全放电。概括来说，阻尼吸收电路的作用就是用来限制 MOSFET 漏极过电压和电压上升率。

首先；这个电路主拓扑是 48V 推挽电路。按惯例；每只 MOSFET 工作于 50%固定占空比状态。电流为断续或临界断续模式。每个 MOSFET 接近零电流关断。

但在开通时；由于变压器自耦效应，会在对侧管感应 2 倍电源电压。计入变压器漏感和 MOSFET Coss，形成初始电流为 0 的二阶 LC 过渡过程。在 MOSFET 漏极形成电源电压 4 倍峰值电压，且在漏极长时间振铃。

加入 RCD 吸收后，嵌住 dv/dt 同时；减低了 MOSFET 漏源电容-变压器漏感 LC 网络 Q 值。当 Q 值降到 1 以下，振铃将基本抹去；且过压将降到 1.4 倍以下。

举个简单例子；如果 48V 系统实际工作于 56V，无 RCD 阻尼网络时，理论峰值漏极电压为 224V，达到 IRF4227 临界极限。这也是为什么选这颗料的本质原因。

当加入合理的 RCD 阻尼后；漏极峰值电压将钳位在 112~170V 之间。

关于阻尼吸收电路的更多内容，可以参考文档，该文档主要讨论了阻尼吸收电路的优缺点，并且讲解了解耦电容器、RCD 电压箝位电路、RCD 充放电缓冲器的原理。

扫码关注尚为网微信公众号