一、主要内容
该篇笔记主要解读一下高边器件的主要电气参数。page10~21。需要注意的是,理解器件手册的电气参数时,测试条件 Test Condition 是一定要关注的。
二、主要电气参数
2.1 电源部分
(1)供电部分:芯片正常工作的电压和低压相关的情况;
(2)驱动能力:导通电阻,一般来说,150℃情况下的内阻为 25℃的两倍,温度高的情况下导通内阻变大,即是半导体的特性;
(3)钳位电压:芯片内部有 VCC-Output Clamp 和 VCC-GND Clamp 钳位两种钳位,不过参数都是一样的,考虑到最恶劣情况下,可用 41V,一般驱动感性负载时,多用到这个值;另外,有些器件不受控,常输出,就是长时间大于 VCC-Output Clamp,导致 PowerMOS 损坏不受控;
(4)功耗:主要考虑到芯片的静态功耗;
(5)GND 电流:在开关的时候,GND 电流相差很大,如果使用了电阻和二极管的防反接保护电路,则在 GND 管脚可以测量到同 Input 频率相同的 PWM 波形,幅值为二极管的前向电压;
(6)PowerMOS 体二极管:前向电压为 0.7V。
2.2 开关部分
主要反映了芯片开关一次所需要的时间和开关能量,这直接关系到芯片的驱动频率和开关损耗,驱动频率和开关损耗的关系可参阅笔记“功率器件的选型(二)——开关损耗的计算”。
2.3 逻辑输入部分
(1)针对 INPUT 和 FaultRST 管脚来说,测试条件 4V<VCC<28V, -40℃<Tj<150℃下,给出了有效高低电平的相关参数;
(2)针对 SEL 和 SEn 管脚来说,测试条件 7V<VCC<18V, -40℃<Tj<150℃下,给出了有效高低电平的相关参数;
根据上述的情况,在选择 MCU 时,要注意相关的电平及电流信息是否满足要求。
2.4 保护部分
首先需要注意一下保护部分的测试条件,7V<VCC<18V, -40℃<Tj<150℃,也就是说当芯片的 VCC 供电在这个范围之外时,是不能保证正常的保护功能的。
(1)电流限定的 IlimH 和 IlimL 值,
根据上图,可以看出,芯片在过载或短路的情况下,其自我保护的一个过程,首先是进入电流限定的阶段,即电流被限定在 IlimH 值,当超过一定的时间后,为保护器件,电流限定值则变为 IlimL 值,下图是实验验证的结果。随后进入功率限定 power limitation 的阶段,最后进入热保护阶段。
(2)温度保护 TSD
当芯片的温度超过 TSD 后,芯片进入热保护,即热关断阶段。
(3)RST 模式
当设定 FaultRST 为 RST 模式后,芯片可以在 fault 状态消除后,自动重新打开,其中,重新打开所需要的时间为 Tlatch_rst。
(4)VDEMAG
当驱动感性负载时,需要知道这个参数。
2.5 多路诊断部分
同保护部分,诊断部分的测试条件也是在 7V<VCC<18V, -40℃<Tj<150℃,在这个范围之外,也是不能保证正常的诊断功能的。
(1)电流的诊断
诊断电流和负载电流是成比例关系的,为了提高这个比例的精度,将比值 K 分段,如上图所示,所以具体应用时,可根据负载电流的大小来选择具体的 K 值;另外,K 值标定的情况下,则采用 dk/k 的比率来确定 K 值的范围。一般来说,标定的 K 值范围会比没标定的 K 值范围小很多,如下图所示。
(2)MultiSense 管脚的特性
包括该管脚的静态电流、饱和诊断电压、饱和诊断电流和保护负载电流,其中,保护诊断电压和电流对 Rsense 的选择有很大影响。
(3)off 状态的诊断
VOL:off 状态检测负载开路的电压阈值,off 状态检测负载开路需要在 out 端上拉电阻,上拉的电压要大于 VOL 这个阈值,才能检测出来负载开路。
IL(off2):off 状态负载开路检测时,输出端的电流,该电流不同于 IL(off),即关闭情况下的输出端的漏电流。
延迟时间:后面的 3 个参数分别为设定好检测条件时,诊断结果的延迟时间。
(4)芯片温度的诊断
芯片温度的反馈是模拟电压量,最后通过转换公式转成温度量。
(5)芯片 VCC 的诊断
同样是电压模拟量,诊断电压与 VCC 电压成 4 倍的关系。
(6)Fault 状态的诊断
前面几个诊断均为模拟量诊断,当出现 fault 状态时,则会出现固定的电平量诊断。即出现 fault 状态时,MultiSense 输出固定的电流和电压。
(7)诊断时序
分别对电流诊断、温度诊断和电压诊断给出相应的时序。
三、真值表
针对高边器件的各种情况列出了如下表格所示的真值表。真值表中的各个 fault 状态的诊断,将在后续的笔记中给出。
四、多路诊断地址选择器
通过 SEn 和 SEL 可以选择相应的诊断模式。
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