下图是一个经典的限流保护电路,本文分析一下其工作原理和限流保护机制。
限流保护电路工作原理
Q1 和 Q2 构成互锁电路,即 Q1 导通时 Q2 截止,Q2 导通时 Q1 截止。
在上电之后,这两个晶体管的导通顺序由 C1-R2-R3,C2-R1 决定。即在上电之后,由于电容两端电压不能突变,Q1 的基极电压将由电容 C1 负极电压 VCC 经过 R2,R3 逐渐减小至 0V;而 Q2 的基极电压将由 C2 负极电压 VCC 经过 R1 逐渐减小至 0V。
通过计算可以得知,Q1 的基极电压为 0 时,需要 20ms 的时间,而 Q2 的基极电压为 0 时,只需要 3ms 的时间,也就是说 Q2 的基极电压的下降速度是 Q1 的 7 倍。因此,Q2 将先于 Q1 导通,Q2 导通之后,Q1 截止。
另外,该限流保护电路在限流保护状态下不能恢复,虽然 Q1 处于导通状态,输出电压也为 VCC,但是由于 R2 串联其中,所以驱动能力非常小,如果能让电路恢复,可增加 R4。
图 1 中的三极管可以换为 P 沟道 MOSFET IRLML5203,图 3 是示波器抓取的限流电路工作波形,C1 是 Q1 的基极电压,C2 是 Q2 的基极电压,C3 是输出电压,C4 是电源电压 VCC=12V。
根据上图可以看出,在上电之后,Q1 和 Q2 的基极电压瞬间达到电源电压,随后 Q1 和 Q2 的基极电压均下降,只是 Q2 的基极电压下降的较快,大约在 300us 的时间,Q2 导通,输出端开始有电压,随后 Q2 基极电压继续下降,直至电压为 0V,在此期间 Q1 基极电压被拉高。
限流保护电路的保护机制
下图是输出对地短路情况时电源上电的波形图:
当输出对地短路时,上电之后,仍是 Q2 先导通,随后电源对地短路,电源电压急剧下降并反弹(电源电压急剧下降过程中,Q1、Q2 和电源电压的下降速度为 Q2>Q1>电源电压,说明电容 C1 和 C2 还在持续放电)。电源电压反弹之后,Q1 和 Q2 的基极电压均再次下降,Q2 的下降速度仍快于 Q1,直至 Q1 导通,Q2 截止,电源电压恢复正常,Q1 和 Q2 的基极电压也由 C1 和 C2 充电恢复正常,最后,Q1 的基极电压降至 0V,Q2 的基极电压升高至 VCC。
不同电源电压的保护特性
下面将电源电压设置为 3.3V,测试限流保护电路的工作情况和保护机制:
不同 P 沟道 MOSFET 的保护特性
下面将 P 沟道 MOSFET 换为驱动能力更小的 BSS84PW,电源电压 VCC=12V,测试限流保护电路的工作情况和保护机制:
在工作中输出对其他电源短路情况下限流保护电路的保护机制
在电源电压 VCC=12V 与一个小的电源电压(3.3V 或者 5V)短路,测试限流保护电路的保护机制。
这种情况下,Q1 处于截止状态,Q2 一直处于导通状态,输出 12V 电压,也就是说 12V 电压将 3.3V 的电压拉高了。
限流保护电路的器件选型
根据上述分析的限流保护电路的工作原理可以得出:
- P 沟道 MOSFET 或者 PNP 三级管的驱动能力要大于负载的工作电流,小于被保护电源芯片的输出电流;
- 阻容的选择要保证 Q2 的导通时间小于 Q1 的导通时间,总体的切换时间要合适,减小该限流保护电路的响应时间。
- 如果要同时保护对地短路和对小电源电压保护的情况,可以在输出端串接一个二极管,二极管对电源造成的压降要满足负载的要求。
输出对地短路时,Q2 是否会烧毁?
根据上面一系列的波形可以看出,在 Q2 导通向 Q1 导通转换的过程中,Q2 会有几毫秒的短路时间,这个短路是否会造成 Q2 烧毁?
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