一、主要内容
笔记“功率器件的选型(一)——高边驱动灯泡负载”介绍了稳态情况下,芯片结温的计算方法。当负载出现单 pulse 影响的情况下,则需要用到 ZTH 曲线。因此,本篇笔记主要介绍 ZTH 参数的使用。
二、实验平台
1.高边器件:VND7030AJ page40.
三、计算步骤
2.1 稳态计算
稳态的计算可参考“功率器件的选型(一)——高边驱动灯泡负载”。
2.2 瞬态计算
(1)ZTH参数的确定
由于 ZTH参数跟板子的散热面积和单脉冲的时间有关,因此,需要确定一个 ZTH值。
(2)瞬态计算
Tj = I2*R*ZTH
其中,I 取单脉冲时期的电流值,R 取芯片的导通内阻,考虑到最坏情况,一般取 150℃时候的导通内阻。
2.3 加和
最后,需要将稳态的结温和单脉冲的结温相加,该值应小于 150-85=65℃。
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