归纳总结一些功率器件的常识问题,尤其是高低边器件,涉及高低边器件的驱动能力、最大耐压值、诊断功能、保护功能和寿命。不定期更新。
1.器件的驱动能力的计算
(1)对于阻性负载而言
驱动能力的计算公式为
n*I*I*Rdson@150℃*Rthj-amb + Tamb < 150℃,
其中,n 为通道数,Rdson@150℃和 Rthj-amb 可在 datasheet 中查找,Tamb 指环境温度,应取最恶劣的情况。
由此,可以计算出最大驱动电流为 I.
(2)对于容性负载而言
除了考虑上述的稳态驱动能力外,还应该考虑启动瞬间对芯片的电流冲击,一般启动的电流可达稳态电流的 10 倍左右。而这个通常是通过软件仿真来判断是否合适。
(3)对于感性负载而言
除了考虑(1)中稳态情况外,还应考虑负载开启和关闭时的退磁能量问题,一般情况下,高低边器件具有一定的吸收该退磁能量的能力,因此,需要计算芯片吸收的能量是否大于负载开关时产生的能量,如果不能,则需要外接续流二极管。
2.器件的最大耐压值
一般情况下,器件除了拥有正常工作的电流值外,还有一个瞬时的最大耐压值,该值符合 ISO7637 pulse5b 标准。例如,24V 的高边器件单脉冲的耐压值为:58V,350ms。
3.器件的诊断功能为
(1)高边器件
M0-7 芯片带有 multi sense 管脚,该管脚具有诊断镜像电流、芯片温度和芯片 VCC 功能,其中,镜像电流和输出电流满足 Isense = Iout/K 的关系, Isense 可以通过 multi sense 管脚外接电阻的电压信号来获得,K 值可在 datasheet 中查询。
M05-则没有诊断芯片温度和芯片 VCC 功能。
(2)低边器件
OMNIFET(M0-3):是通过 input 管脚实现诊断的,input 管脚内部有下拉电流源,当出现 fault 状态时,input 管脚会有 20mA 的电流。
OMNIFET III(M0-5):则是通过专用的 STATUS 状态管脚,输出数字信号,以此来诊断芯片是否进入 fault 状态。
4.器件的保护功能
当芯片温度、功率等达到限定值时,芯片则关断输出,不需要 CPU 参与;另外,部分芯片(M0-7,M0-5T HSD)具有的功能:通过芯片的 Fault Reset 管脚可设置芯片关断后的动作,auto-start 或 latch-off。
5.器件的寿命
即使器件有多种保护功能,但任何器件都是有物理极限的,因此,高低边器件的寿命也受一些因素的影响。影响高低边器件寿命较大的两个因素为输出短路和芯片的瞬间温升(>60℃),而其他方面的影响较小;因此,25℃环境中,Tj 温度不超过 150℃即可认为对芯片的寿命影响很小。
如果所带负载超过芯片驱动能力,芯片很快进入热保护,关断后温度下降大约 15°C,重启, 再重复,而热关断的次数是有一定限制的,因此不建议一直处于这种状态,应该是检测到错误状态后,软件采取措施。
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