防反接保护电路（一）——概述

一、主要内容

防反接保护是电子电路常要考虑的安全之一，防反接可以根据芯片的特性或者整个电路的特性分别考虑，本文及接下来的几篇文章重点说明一下几种基于芯片的防反接电路，当然，可以根据防反接的原理应用到其他电路中。

二、器件

1. Monolithic HSD && Hybrid HSD

三、分析步骤

3.1 HSD 分类

Monolithic HSD：芯片内部不带防反接保护电路，该器件的导通电阻在 10mΩ以上；

Hybrid HSD：芯片内部自带防反接保护电路，该器件的导通电阻在 10mΩ以下。

对于 Monolithic HSD 器件而言，防反接电路在 GND 端时，电源接反时，电流仍可以通过图中红色线条的路径，负载正常工作，如图 1 所示。在器件内部，电流则是通过功率 MOSFET 管的体二极管，而该电流的大小则是由负载的决定的。因此，需要考虑一个问题：功率 MOSFET 所吸收的功率，P = 0.7*Ir。需要考虑该功率 MOSFET 是否能吸收这些能量。

而对于 Hybrid HSD 而言，不需要外部防反接电路，而且，当电源反接时，功率 MOSFET 仍是导通状态，也就是说，电流是通过功率 MOSFET，而不是体二极管，因此，就不必考虑功率 MOSFET 吸收能量的问题。但是，如果外部添加了二极管之类的防反接保护电路，功率 MOSEFET 则不再导通，也就不具备该功能了。

因此，本篇笔记则重点描述 Monolithic HSD 所需要的防反接保护电路。

3.2 防反接保护电路分类

大致可以根据防反接保护器件分为电阻，二极管，电阻||二极管，NMOS 和 PMOS 几种类型，而根据防反接保护电路的位置，又可以分为 VCC 端和 GND 端。具体分类见下面表格。

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