防反接保护电路（五）——电阻和二极管并联

一、主要内容

根据上篇笔记的分析，该篇笔记重点对 GND 端串入二极管的防反接保护电路进行改进，即并联一个电阻，并分析电阻的取值。

二、器件

1. Monolithic HSD

三、分析步骤

3.1 原理图

3.2 电阻参数

（1）确定最小值

最小值的确定可以参考笔记“防反接保护电路（二）——电阻”中，最小值的确定，这里直接给出公式：

（2）确定最大值

根据经验情况，当驱动感性负载时，HSD 的 output 管脚出现负电压，由于 VCC-OUTPUT 存在钳位电压 V_CLAMP，46V(Typ.)，则 output 管脚的最大电压为 V_BAT-V_CLAMP，如 13.5V – 46V = -32.5V。根据下图中芯片的内部原理图，可以算出 V_GND

V_GND = -32.5 * R_GND/(R_GND+90K)

一般 V_GND小于-1.3V。因此确定，R_GND为

（3）确定封装

电源反接时，R_GND上消耗的功率为

P = V_BAT*V_BAT/R_GND

所以，R_GND越大，功率越小，通常取 R_GND = 4.7K。

3.3 优缺点

优点：简单，实现方便，成本低，适用于所有类型的负载。

缺点：MCU IO 和 HSD 控制管脚之间需要串联限流电阻。

该种方法是比较常用的防反接电路。

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