一、主要内容
上篇笔记分析了基于 GND 端串入 NMOS 管的防反接电路，该篇笔记则对 VCC 端串入 PMOS 管的防反接电路进行分析。
二、器件
1. Monolithic HSD
三、分析步骤
3.1 原理图
3.2 原理分析
分析方法同“防反接保护电路（六）——GND 端串入 NMOS 管”，只不过需要注意 PMOS 管 VGS<0 时，MOS 管开启。
3.3 器件分析
分析方法同“防反接保护电路（六）——GND 端串入 NMOS 管”，这里 R2 取 1K。
3.4 需要注意的是
（1）由于 VBAT 端要提供负载的工作电流，因此，要求 PMOS 管的导通内阻比 NMOS 管要更小。一般来说，导通内阻越小，其 Gate 端的结电容就越大，所以 PMOS 管的开关速度就会越慢，因此，要综合考虑。
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原创文章，作者：sunev，如若转载，请注明出处：https://www.sunev.cn/hardware/75.html
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