高边器件
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高边器件在PWM驱动模式下最大频率计算
一、主要内容 一般来讲，由于高边器件内部的电荷泵(charge pump)结构，限制了其在 PWM 驱动模式下的频率。这里通过数据手册中提供的参数计算一下高边器件所能支持的最大驱动…
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功率器件的选型(三)——感性负载
一、主要内容 在笔记“功率器件的选型（一）——高边驱动灯泡负载”和“功率器件的选型（二）——开关损耗的计算”中，分别描述了功率器件驱动灯泡和 PWM 阻性负载的样例，本篇笔记则描述…
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高边器件中VCC和output导通失效的原因及仿真分析
一、主要内容 在某些使用情况不当或者应用环境恶劣的状态下，高边器件容易出现 VCC 与 output 导通，即 output 不再受控于 input，这种现象一般是高边器件内部的功…
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高边器件中output逆向电流的特性分析
一、主要内容 当用高边器件驱动容性和感性负载时，会出现 output 端电压高于 VCC 电压的情况，这时候，output 管脚就会出现逆向的电流，即电流由 output 管脚流向…
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HSD应用中诊断电阻阻值的计算
一、主要内容 诊断功能是 HSD 器件中比较常用且重要的功能，而与之相关的诊断电阻的选择涉及到多个方面的因素。因此，本篇笔记就对这个诊断电阻阻值的计算做一下分析。 二、器件 1. …
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HSD应用中限流电阻阻值的计算
一、主要内容 HSD 应用中为了更好的保护 MCU 的 IO 管脚和 HSD 的控制管脚，一般在二者之间串联一个电阻，起到限流的作用。 二、器件 1. HSD 三、计算步骤 3.1…
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防反接保护电路（八）——总结
一、主要内容 根据前面几篇笔记的分析，可以了解基于芯片的几种防反接电路。这里给出针对其优缺点给出总结。 二、器件 1. Monolithic HSD 三、总结 3.1 优缺点 序号…
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防反接保护电路（七）——VCC端串入PMOS管
一、主要内容 上篇笔记分析了基于 GND 端串入 NMOS 管的防反接电路，该篇笔记则对 VCC 端串入 PMOS 管的防反接电路进行分析。 二、器件 1. Monolithic …
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防反接保护电路（六）——GND端串入NMOS管
一、主要内容 以往几篇笔记是介绍基于电阻和二极管的防反接电路，而本篇及下篇笔记则重点介绍基于 MOS 管的防反接电路，如 NMOS 管串入 GND 管脚的防反接电路和 PMOS 管…
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防反接保护电路（五）——电阻和二极管并联
一、主要内容 根据上篇笔记的分析，该篇笔记重点对 GND 端串入二极管的防反接保护电路进行改进，即并联一个电阻，并分析电阻的取值。 二、器件 1. Monolithic HSD 三…
