功率器件
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Nexperia发布汽车级650V氮化镓(GaN)功率器件
Nexperia 发布以高压 GaN HEMT H2 为核心技术的氮化镓场效应晶体管器件，目标市场是汽车、5G 和数据中心应用。这些器件采用标准的 TO-247 封装和 Nexpe…
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垂直氮化镓功率器件的结构特点及与传统硅和碳化硅的区别
氮化镓(GaN)是一种高带隙材料（high bandgap material），与硅相比，它可以使功率器件在更高的温度下工作，并能承受更高的电压。此外，氮化镓的高击穿电压可以使得材…
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佐治亚理工大学开发一种新的键合技术，可以改善氮化镓(GaN)器件的散热性能
佐治亚理工学院的研究人员开发了一种键合技术，该技术解决了采用氮化镓(GaN)作为宽带隙(Wide-BandGap, WBG)材料的大功率电子应用中的散热难题。该技术可以改善 GaN…
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ON Semiconductor推出LED驱动和控制器，提供更先进的汽车照明功能
ON Semiconductor 发布了一系列四款设备，帮助简化先进汽车照明的设计，以确保更大的道路安全。专门针对低功率固态照明，新系列包括两个 LED 驱动器(NCV7683 和…
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功率MOSFET的基础参数解析
1.基本器件结构 功率 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)是非常通用的功率器件，因为它具有低的栅极驱动功率，快的开关速度和优异的并联工作能力。许多功率 MOSFET 具…
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高压超结Super Junction结构及工作原理
在学习超结工作原理的内容之前，让我们一起先回到我们的大学年代，回顾在《电子技术》或《模拟电路》这门课的第一章所学的 PN 结吧！要知道，所有功率半导体设计工程师的功力和水平，全部体…
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功率MOSFET结构及特点
1、横向双扩散型场效应晶体管的结构 功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transist…
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功率MOSFET的应用问题分析
近些年来，作者走访过很多客户，结识了大量的在一线从事电源设计和开发的工程师，在和他们的交流过程中，也遇到过许多技术的问题，然后大家一些分析这些问题产生的原因，并找到相应的解决方法。…
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高边器件在PWM驱动模式下最大频率计算
一、主要内容 一般来讲，由于高边器件内部的电荷泵(charge pump)结构，限制了其在 PWM 驱动模式下的频率。这里通过数据手册中提供的参数计算一下高边器件所能支持的最大驱动…
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H桥器件的几点注意
优势在于 VNH5019 本身自带了一个 charge pump，所以可以在电源端加入一个 NMOS。否则没有 charge pump 的话只能在电源端加 PMOS 或者在 GND…
